[发明专利]垂直MOS功率器件及其形成方法

摘要

本发明提出一种垂直MOS功率器件，该垂直MOS功率器件可以为平面型或者沟槽型。本发明实施例的垂直MOS功率器件中，通过去除了整个或者部分形成米勒电容的栅极，米勒电容明显减小，从而消除或明显减小第二电极电压变化对栅极电压的反馈作用，从而避免或者减小了开关过程中的米勒平台和振荡现象，缩短器件开关时间，提高器件开关速度，减少开关损耗，使得功率器件更加安全可靠，此外还具有结构简单、成本低等优点。本发明还提出了一种垂直MOS功率器件的形成方法。

主权项

一种垂直MOS功率器件，其特征在于，所述垂直MOS功率器件为平面型垂直MOS功率器件，包括：耐压层；多个第一掺杂类型阱区，所述多个第一掺杂类型阱区位于所述耐压层的顶部；多个第二掺杂类型源区，所述多个第二掺杂类型源区位于所述多个第一掺杂类型阱区中；平面栅氧层，所述平面栅氧层位于所述耐压层之上，且所述平面栅氧层的两端与相邻两个所述第二掺杂类型源区分别接触；平面栅极层，所述平面栅极层位于所述平面栅氧层之上，其中，所述平面栅极层不覆盖或者部分覆盖所述耐压层上方对应位置；绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述平面栅氧层、所述平面栅极层以及与所述平面栅氧层接触的两个所述第二掺杂类型源区；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘介质层之上；以及第二电极，所述第二电极位于所述耐压层之下。