[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410305254.4 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104916679A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 藤本英俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供降低栅极泄露电流的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一氮化物半导体层、设置在第一氮化物半导体层上且禁带比第一氮化物半导体层大的第二氮化物半导体层、设置在第二氮化物半导体层上的源极电极、设置在第二氮化物半导体层上的漏极电极、设置在源极电极与漏极电极之间的第二氮化物半导体层上且杂质浓度为1×1017atoms/cm3以下且禁带比第二氮化物半导体层小的第三氮化物半导体层、设置在第三氮化物半导体层上的p型的第四氮化物半导体层、和设置在第四氮化物半导体层上的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置在上述第一氮化物半导体层上，禁带比上述第一氮化物半导体层的禁带大；源极电极，设置在上述第二氮化物半导体层上；漏极电极，设置在上述第二氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，设置在上述源极电极与上述漏极电极之间的上述第二氮化物半导体层上，杂质浓度小于等于1×1017atoms/cm3，禁带比上述第二氮化物半导体层的禁带小；p型的第四氮化物半导体层，设置在上述第三氮化物半导体层上；以及栅极电极，设置在上述第四氮化物半导体层上。
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