[发明专利]一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410305474.7 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104112854A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 杨合情;田化景;申琼;王金磊;程丽娟 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;B82B3/00
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710062 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法,采用简单的溶液快速热反应法,制备成分散在毫米级片状非晶碳上SnO2纳米晶复合材料,SnO2纳米晶的尺寸为4~5nm,复合材料的比表面积可达90~120m2/g。本发明操作过程简单,不需要特殊的气氛保护,成本低,易于工业化生产,且所制备的SnO2纳米晶/C片状复合材料重复性和一致性好,可望在光催化、吸附、气敏传感、锂离子电池和太阳能电池等应用中体现出增强的性能。
搜索关键词: 一种 表面积 sno sub 纳米 片状 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法,其特征在于:将0.2~5.0mol/L SnCl4的乙二醇溶液铺展到清洗干净的硅片表面,在空气气氛中300~550℃保温5~10分钟,自然降至室温,得到大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料。
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