[发明专利]通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法

摘要

本发明涉及制造前体的方法。即，涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法，其包含以下步骤：提供具有供给侧和排出侧的中空基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第一反应条件的第一等离子体反应区，用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少一部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积，提供在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区，用于在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积，获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管；冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管，获得初级预制品的前体。

主权项

1.一种通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的前体的方法，所述方法包含以下步骤：i)提供具有供给侧和排出侧的中空基管；ii)通过电磁辐射在所述中空基管的内部产生具有第一反应条件的第一等离子体反应区，用于在所述排出侧的换向点处或所述排出侧的换向点附近在所述基管的内表面的至少一部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积，从而提供在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管，所述换向点处或换向点附近为在距离上靠近所述换向点的基管上的轴向位置，或者与所述换向点相同的位置，所述非玻璃化氧化硅为不玻璃化或部分玻璃化的氧化硅；以及随后；iii)通过电磁辐射在所述中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区，用于在步骤ii)中获得的所述在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积，从而获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管；iv)冷却在步骤iii)中获得的所述具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管，从而获得所述初级预制品的前体。