[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括：衬底；在衬底内形成的第一有源区域，并且第一有源区域包括具有第一宽度的第一区域以及具有比第一宽度大的第二宽度的第二区域，并且第一有源区域沿第一方向延伸；在衬底内形成的第二有源区域，平行于第一有源区域的第二区域延伸；以及在衬底内形成的元件隔离绝缘膜，分别隔开第一有源区域和第二有源区域，其中第一有源区域的第二区域或第二有源区域包括在平面视图内沿垂直于第一方向的第二方向凹进的凹进部。本发明能够防止元件隔离绝缘膜内产生空隙。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底内形成的第一有源区域，所述第一有源区域包括具有第一宽度的第一区域，具有比所述第一宽度大的第二宽度的第二区域，且所述第一有源区域沿第一方向延伸，以及所述第一区域与第二区域的边界，所述边界具有由所述第一宽度和所述第二宽度之差所形成的梯部；在所述衬底内形成的第二有源区域，平行于所述第一有源区域的第二区域延伸；在所述衬底内形成的元件隔离绝缘膜，分别隔开所述第一有源区域和所述第二有源区域；在所述第一有源区域的第二区域上形成的第一栅电极和第二栅电极；及在所述第二有源区域上形成的第三栅电极和第四栅电极；其中所述第一有源区域和所述第二有源区域各是一单独的连续区域，所述第二有源区域包括在平面视图内沿垂直于所述第一方向的第二方向凹进的凹进部，所述凹进部沿着与所述第一有源区域分离的方向凹进，所述凹进部在沿着所述第一方向从所述第三栅电极延伸到所述第四栅电极的区域中，所述第一有源区域和所述第二有源区域彼此相邻，所述第一栅电极和所述第三栅电极彼此连接，所述第二栅电极和所述第四栅电极彼此连接，以及所述第二有源区域包括：突出部，在沿着所述第一方向从所述第三栅电极延伸到所述第四栅电极的区域中位于所述凹进部的相对侧；以及触点，放置在所述第二有源区域的凹进部上以形成所述突出部，其它栅电极没有形成在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间，其它栅电极没有形成在所述第三栅电极与所述第四栅电极之间。