[发明专利]半导体器件的导线焊点强化结构有效

专利信息
申请号: 201410308072.2 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104064540B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 石海忠;王洪辉;郇林香;缪小勇;成明建 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/495
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 代理人: 孟阿妮
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体器件的导线焊点强化结构,包括框架内引线,所述框架内引线的表面具有焊接区,所述焊接区焊接有导线,还包括锁定卡;所述锁定卡包括按压部,所述按压部向外悬伸有锁定部,所述按压部压在所述导线上,所述锁定部穿过所述框架内引线,且卡在所述框架内引线背离所述导线的一侧。本发明提供的上述方案,通过锁定卡将焊接于框架内引线上的导线,牢靠的卡箍在框架内引线上,有效的避免了导线与框架内引线剥离的情况发生,加强了导线与框架内引线的电连接,提高了半导体器件,特别是半导体功率器件的可靠性。
搜索关键词: 半导体器件 导线 强化 结构
【主权项】:
一种半导体器件的导线焊点强化结构,包括框架内引线,所述框架内引线的表面具有焊接区,所述焊接区焊接有导线,其特征在于,还包括:锁定卡;所述锁定卡包括按压部,所述按压部向外悬伸有锁定部,所述按压部压在所述导线上,所述锁定部穿过所述框架内引线,且卡在所述框架内引线背离所述导线的一侧,所述框架内引线的边缘处设置有凹槽,所述锁定部通过所述凹槽穿过所述框架内引线。
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