[发明专利]集成电路芯片失效分析样品的制备方法有效
| 申请号： | 201410308089.8 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105334084B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金志明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法，包括下列步骤：在集成电路芯片样品上涂抹封装胶，使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位；对涂好封装胶的样品进行加热固化；将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位。本发明通过固化的封装胶对需要进行失效分析的部位进行加固，避免其在抛光过程中受力变形，从而能够保留原始形貌。制备过程不需要使用昂贵的设备，制备条件很容易被满足。 | ||
| 搜索关键词： | 失效分析 封装胶 集成电路芯片 制备 固化 加热固化 抛光过程 受力变形 原始形貌 制备过程 制备条件 抛光 涂抹 保留 覆盖 | ||
【主权项】：
一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法，包括下列步骤：在集成电路芯片样品上涂抹封装胶，使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位；对涂好封装胶的样品进行加热固化；将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位；所述在集成电路芯片样品上涂抹封装胶的步骤之前，还包括在所述需要进行失效分析的部位进行标记的步骤；所述将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位的步骤，是根据标记判断抛光所至部位。
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