[发明专利]双极结型晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201410308835.3 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448970B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 程勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双极结型晶体管及其形成方法，其中双极结型晶体管的形成方法包括：提供衬底；对衬底进行第一掺杂形成集电区；对衬底进行第二掺杂形成基区，基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反，基区位于集电区内，且基区底部高于集电区底部；在基区内形成环形隔离结构，环形隔离结构包围部分基区，且环形隔离结构底部高于基区底部；刻蚀部分环形隔离结构形成缺口，缺口暴露出被环形隔离结构包围的基区部分侧壁表面；对被环形隔离结构包围的基区顶部表面以及暴露出的侧壁表面进行第三掺杂，形成发射区，发射区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反。本发明增加了发射区的面积，从而提高了双极结型晶体管的发射效率，以增加双极结型晶体管的工作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基区 隔离结构 双极结型晶体管 掺杂类型 发射区 集电区 衬底 掺杂 侧壁表面 包围 顶部表面 发射效率 工作电流 暴露 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；对所述衬底进行第一掺杂，在衬底内形成集电区；对所述衬底进行第二掺杂，在衬底内形成基区，所述基区的掺杂类型与集电区的掺杂类型相反，所述基区位于集电区内，且所述基区底部高于集电区底部；在所述基区内形成环形隔离结构，所述环形隔离结构包围部分基区，且所述环形隔离结构底部高于基区底部；刻蚀部分所述环形隔离结构形成缺口，所述缺口暴露出被环形隔离结构包围的基区部分侧壁表面；对所述被环形隔离结构包围的基区顶部表面以及暴露出的侧壁表面进行第三掺杂，形成发射区，所述发射区的掺杂类型与基区的掺杂类型相反。
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