[发明专利]晶圆的处理方法

摘要

一种晶圆的处理方法，包括：提供覆盖基底和待处理基底，待处理基底的第一表面具有若干器件区、以及位于器件区之间的切割道区；将覆盖基底的第一表面与待处理基底的第一表面键合，待处理基底和覆盖基底的边缘重合，待处理基底的切割道区与覆盖基底的第一表面形成空腔；对待处理基底进行修边工艺，使待处理基底的半径小于覆盖基底的半径；对覆盖基底的第二表面进行减薄；之后，对覆盖基底的第二表面进行清洗；之后，刻蚀部分覆盖基底，直至暴露出待处理基底第一表面的切割道区。待处理晶圆受到的损伤较少，对待处理晶圆进行检测的结果更准确。

主权项

1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：提供覆盖基底，所述覆盖基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有若干器件区、以及位于器件区之间的切割道区；将所述覆盖基底的第一表面与所述待处理基底的第一表面键合，所述待处理基底和覆盖基底的边缘重合，所述待处理基底的切割道区与所述覆盖基底的第一表面形成空腔；在所述键合之后，对所述待处理基底进行修边工艺，使所述待处理基底的半径小于覆盖基底的半径；在修边工艺之后，对所述覆盖基底的第二表面进行减薄；在对所述覆盖基底的第二表面进行减薄之后，对所述覆盖基底的第二表面进行清洗；在对所述覆盖基底的第二表面进行清洗之后，刻蚀部分所述覆盖基底，直至暴露出待处理基底第一表面的切割道区。