[发明专利]ZrS3纳米带薄膜的柔性光探测器无效
申请号: | 201410309165.7 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104091845A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 吴兴才;陶友荣 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明通过气运传输法制备ZrS3纳米带薄膜,用胶带粘帖转移法实现该薄膜向柔性基底转移如PP,PET和纸等薄的柔性基底,用简易的掩膜覆盖,然后在薄膜上蒸镀两个导电电极如Ti/Au或Au等,移去掩膜后在ZrS3纳米带薄膜上留下分立的电极即构成简易的从紫外到近红外的光探测器。实验表明性能良好可靠。本发明公开了其材料和该探测器的加工方法。 | ||
搜索关键词: | zrs sub 纳米 薄膜 柔性 探测器 | ||
【主权项】:
ZrS3纳米带薄膜的柔性光探测器:这种探测器是将ZrS3纳米带薄膜通过单面胶带粘贴转移到PP薄膜上,或用双面胶带转移到纸和PET薄膜上,制作金属丝和纸框架掩膜,再真空蒸镀导电材料电极,揭去掩膜后,在该薄膜上有了两个以上的导电电极,这就构成了柔性的光探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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