[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410310519.X | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105226095B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，本发明通过在衬底上方先沉积一层外延层后，然后对外延层进行LDD预掺杂，然后刻蚀形成沟槽并在沟槽内填充沟道材料层及栅极结构的制备工艺，最后再对剩余的外延层进行掺杂形成源漏区，由于栅极的两侧都是源漏极且源漏极高度与栅极相当，极大的提高了源漏极对沟道施加的应力，从而提高沟道的载流子迁移率，进而在降低器件功耗的同时，还提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底之上制备一层外延层后，对所述外延层进行掺杂；在所述外延层上表面沉积一层掩膜层，刻蚀所述掩膜层和所述外延层至所述衬底的上表面，以在剩余的掩膜层和剩余的外延层中形成沟槽；在所述沟槽底部制备一沟道材料层，继续制备一侧墙将所述沟槽暴露的侧壁表面予以覆盖；于所述沟道材料层暴露的上表面制备一氧化层后，于剩余的沟槽中充满栅极材料，并对所述剩余的外延层进行离子注入工艺，形成源/漏掺杂区。
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