[发明专利]半导体结构的形成方法和半导体结构

摘要

一种半导体结构的形成方法和半导体结构，其中，半导体结构包括：衬底，包括二极管区和晶体管区，二极管区至少具有一个第一鳍部，晶体管区至少具有一个第二鳍部；位于半导体衬底内的第一阱区；位于第二阱区上的第一阱区，第一、第二阱区类型不同；位于衬底上的至少一个第一栅极结构；位于半导体衬底上的至少一个第二栅极结构；第一栅极结构两侧的第一鳍部内具有第一halo离子注入区和第一LDD离子注入区，或者具有第一halo离子注入区和第一源漏离子注入区，或者具有第一halo离子注入区、第一LDD离子注入区和第一源漏离子注入区；第二栅极结构两侧的第二鳍部内具有晶体管的源极和漏极。本发明的半导体结构的输出电压稳定。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括二极管区和晶体管区，所述二极管区用于形成二极管，所述晶体管区用于形成晶体管，所述二极管区至少具有一个第一鳍部，所述晶体管区至少具有一个第二鳍部；在所述二极管区、所述晶体管区、第一鳍部和第二鳍部内形成第一阱区；在所述第一阱区上形成第二阱区，所述第一阱区类型与第二阱区类型不同；在所述二极管区的半导体衬底上形成至少一个第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨至少一个所述第一鳍部，并覆盖所述第一鳍部的侧壁与顶部；在所述晶体管区的半导体衬底上形成至少一个第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨至少一个所述第二鳍部，并覆盖所述第二鳍部的侧壁与顶部；以所述第一栅极结构为掩膜，对所述第一栅极结构两侧的第一鳍部进行第一halo离子注入和第一LDD离子注入，或者进行第一halo离子注入和第一源漏离子注入，或者进行第一halo离子注入、第一LDD离子注入和第一源漏离子注入；以所述第二栅极结构为掩膜，对所述第二栅极结构两侧的第二鳍部进行第二源漏离子注入，形成所述晶体管的源极和漏极。