[发明专利]无结场效应管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201410310733.5 申请日: 2014-07-01
公开(公告)号: CN105448718A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 肖德元 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种无结场效应管及其制作方法,包括:提供衬底;掺杂以形成第一、第二掺杂区,使第一、第二掺杂区的掺杂类型不同;形成第一、第二栅极结构;去除部分衬底以形成第一、第二开口;在第一、第二开口中形成金属层;对金属层以及衬底进行退火处理以形成源漏区。本发明还提供一种无结场效应管,包括衬底;第一、第二掺杂区;第一、第二栅极结构;第一、第二开口,所述第一、第二开口中具有作为源漏区的含有金属的材料层。本发明的有益效果在于:源漏区与导电插塞之间的接触电阻较小且开启电流增加,提高了无结场效应管的性能;简化了工艺难度并在一定程度上减少掺杂区中可能发生的界面散射问题的程度。
搜索关键词: 场效应 及其 制作方法
【主权项】:
一种无结场效应管的制作方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底具有第一区域以及第二区域;对所述第一区域的衬底进行第一掺杂以形成第一掺杂区,对所述第二区域的衬底进行第二掺杂以形成第二掺杂区,所述第一掺杂与所述第二掺杂的掺杂类型不同;在衬底上形成第一栅极结构以及第二栅极结构,所述第一栅极结构与所述第一掺杂区的位置相对应,且所述第二栅极结构与所述第二掺杂区的位置相对应;去除位于所述第一栅极结构以及第二栅极结构之间的部分衬底以形成第一开口,并分别去除第一栅极结构远离第二栅极结构一侧的部分衬底以及第二栅极结构远离第一栅极结构一侧的部分衬底以形成第二开口;在所述第一开口以及第二开口中形成金属层;对所述金属层以及衬底进行退火处理,使第一开口中的金属层与第一开口处的部分衬底形成含有金属的共源区,并使第二开口中的金属层与第二开口处的部分衬底形成含有金属的漏区;或者,对所述金属层以及衬底进行退火处理,使第一开口中的金属层与第一开口处的部分衬底形成含有金属的共漏区,并使第二开口中的金属层与第二开口处的部分衬底形成含有金属的源区。
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