[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法。包括：在半导体衬底上的第一介质层内形成第一插塞后，在第一介质层上形成覆盖第一插塞的保护层；在保护层上形成第二介质层，并刻蚀第二介质层，在第二介质层内形成第二开孔，露出所述第一插塞顶部的保护层后，去除所述第一插塞顶部的保护层，至露出第一插塞。其中，刻蚀第二介质层时，即使第一插塞表面有孔洞，保护层可有效保护第一插塞，避免刻蚀第二介质层产生的刻蚀副产物落入第一插塞的孔洞中，从而在后续向所述第二开孔内填充第二金属材料形成第二插塞后，避免所述刻蚀副产物影响第二插塞和第一插塞的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有晶体管，在所述半导体衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层和所述第一介质层，在所述第一介质层内形成第一开孔；向所述第一开孔内填充第一金属，形成第一插塞；在所述第一插塞上形成保护层；在所述保护层上形成第二介质层后，刻蚀所述第二介质层，形成第二开孔，所述第二开孔露出所述第一插塞顶部的所述保护层；沿着所述第二开孔，去除所述第一插塞顶部的所述保护层，露出所述第一插塞；在形成所述第二开孔并露出所述第一插塞后，在所述第二介质层上形成牺牲层，所述牺牲层填充满所述第二开孔；在所述牺牲层上形成掩模，并以所述掩模为掩模继续刻蚀所述牺牲层、第二介质层、保护层和阻挡层，在所述第二介质层内形成第三开孔，所述第三开孔露出所述晶体管的栅极；所述掩模为光刻胶掩模，所述牺牲层为有机抗反射层；在形成所述第三开孔后，去除所述掩模和所述牺牲层，露出所述第二开孔；在所述第二介质层上形成第二金属层，所述第二金属层填充满所述第二开孔和第三开孔，以在所述第二开孔内形成与所述第一插塞电连接的第二插塞，在所述第三开孔内形成与所述栅极电连接的第三插塞。