[发明专利]一种基于聚合物的增强型AlGaN/GaNMISHEMT器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410311169.9 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104037215B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;董良;代波;杜锴;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于聚合物的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、LiF、钝化层1、ITO栅电极1、有机绝缘层PTFE和漏极，所述有机绝缘层上设有ITO栅电极2，所述ITO栅电极1一侧设有钝化层1，所述漏极与有机绝缘层PTFE间设有钝化层2，所述源极与钝化层1间设有LiF薄膜层，所述源极与LiF薄膜层上淀积有Al金属层。本发明利用LiF和Al所产生的偶极子层实现2DEG浓度的部分增加，并利用源场板结构提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 聚合物 增强 algan ganmishemt 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于聚合物的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、LiF、钝化层1、ITO栅电极1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极2，所述ITO栅电极1靠近源极一侧设有钝化层1，所述漏极与有机绝缘层PTFE间设有钝化层2，所述源极与钝化层1之间淀积有LiF薄膜层，所述源极与LiF薄膜层上淀积有Al金属层。
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