[发明专利]活性炭纤维表面的一维NiCo2S4晶体阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种活性炭纤维表面的一维NiCo₂S₄晶体阵列及其制备方法。将可溶性镍盐和可溶性钴盐溶于水中，镍与钴的离子摩尔数比为1:2；加入摩尔数等于镍与钴的离子摩尔总数一半的乙二胺四乙酸，和摩尔数为镍与钴的离子摩尔总数5~10倍的硫脲；将活性炭纤维浸没于该溶液浸泡；继而在150~260℃温度范围内水热处理；将水热处理后的活性炭纤维清洗、干燥，获得生长于活性炭纤维表面的一维NiCo₂S₄晶体阵列。本发明得到的活性炭纤维表面的一维NiCo₂S₄晶体阵列，具有定向生长结构，可以提高活性炭纤维比表面积，且有利于电子传输，是理想的催化剂材料和电极材料。

主权项

一种活性炭纤维表面的一维NiCo₂S₄晶体阵列，其特征在于：活性炭纤维直径为5‑10微米，表面定向排列一维NiCo₂S₄晶体阵列，一维NiCo₂S₄晶体直径为10～60纳米，长为200纳米～5微米。