[发明专利]检测硅晶体缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410314199.5 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104155302B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 华佑南;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种检测硅晶体缺陷的方法。该方法包括提供测试样品；将所述测试样品浸入第一溶液去除所述多晶硅层之上的各层；将所述测试样品浸入第二溶液去除所述多晶硅层，使得硅基片全裸；将所述测试样品浸入第三溶液刻划硅晶体缺陷；用光学显微镜检查所述测试样品上的硅晶体缺陷，并拍摄光学显微镜照片。本发明的方法确保了硅基片的全裸以及硅晶体缺陷的有效刻划。并且操作简便，快速，效率高，测量结果准确和重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 晶体缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种检测硅晶体缺陷的方法，用于去除晶圆上的材料层并对晶圆硅基片的硅晶体缺陷进行刻划和分析，所述材料层包括覆盖硅基片的多晶硅层及多晶硅层上的多种膜层，该方法包括：提供测试样品；将所述测试样品浸入第一溶液去除所述多晶硅层之上的各层；将所述测试样品浸入第二溶液去除所述多晶硅层，使得硅基片全裸；所述第二溶液为硝酸和缓冲氧化物蚀刻液体积比为8:2的混合液，所述硝酸的浓度为69.5％，所述缓冲氧化物蚀刻液为体积比为NH4F:HF＝7:1的混合液，所述测试样品在第二溶液中浸泡时间为3s～10s；将所述测试样品浸入第三溶液刻划硅晶体缺陷；用光学显微镜检查所述测试样品上的硅晶体缺陷，并拍摄光学显微镜照片。
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