[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201410314663.0 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN104282641A 公开(公告)日: 2015-01-14
发明(设计)人: 新井规由;碓井修 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种半导体装置,其无需牺牲成本以及绝缘耐压就提高了散热性。本发明所涉及的半导体装置(100)具有:基座板(1);绝缘层(2),其设置在基座板(1)的上表面;金属图案(3),其设置在绝缘层(2)上表面;半导体元件(7),其与金属图案(3)接合;以及绝缘基板(11),其与半导体元件(7)上表面接触并配置在该上表面,绝缘基板(11)的端部(11b)在俯视观察时位于半导体元件(7)的外侧,绝缘基板(11)的端部(11b)与金属图案(3)直接或间接地接合,半导体元件(7)在上表面具有电极,在绝缘基板(11)的俯视观察时与半导体元件(7)上表面的电极重叠的部分处设置通孔(11a)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:基座板;绝缘层,其设置在所述基座板的上表面;金属图案,其设置在所述绝缘层的上表面;半导体元件,其与所述金属图案接合;以及绝缘基板,其与所述半导体元件的上表面接触并配置在所述半导体元件的上表面,所述绝缘基板的端部在俯视观察时位于所述半导体元件的外侧,所述绝缘基板的所述端部与所述金属图案直接或间接地接合,所述半导体元件在上表面具有电极,在所述绝缘基板的俯视观察时与所述半导体元件的上表面的所述电极重叠的部分处设置通孔。
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