[发明专利]图像传感器及其形成方法

摘要

本发明提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体衬底、光电二极管、浮置扩散区、转移晶体管、复位晶体管和源跟随晶体管，所述源跟随晶体管包括位于所述半导体衬底表面的第一导电类型多晶半导体栅电极、位于半导体衬底内的第二导电类型源极和位于半导体衬底内的第二导电类型漏极。本发明在不改变电路结构的基础上，通过采用P型多晶硅作为栅电极的埋沟NMOS晶体管作为源跟随晶体管，由于P型多晶硅的功函数比N型多晶硅的功函数大1V，使得后续电路的对应的像素阵列的列电压低大约1V左右，从而降低了后续模数转换等信号处理的过程的中固定模式噪声，提高了图像的质量。

主权项

一种图像传感器，所述图像传感器包括： 第一导电类型的半导体衬底、光电二极管、浮置扩散区、转移晶体管、复位晶体管和源跟随晶体管， 其中所述源跟随晶体管包括位于所述半导体衬底表面的第一导电类型多晶半导体栅电极、位于半导体衬底内的第二导电类型源极和位于半导体衬底内的第二导电类型漏极。