[发明专利]一种纳米绒面多晶硅太阳能电池低压变温扩散方法无效
申请号: | 201410315105.6 | 申请日: | 2014-06-30 |
公开(公告)号: | CN104091857A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 夏建汉;袁春成;汤叶华;刘金虎;夏洋 | 申请(专利权)人: | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/22;H01L21/223 |
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地址: | 226600 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种纳米绒面多晶硅太阳能电池低压变温扩散方法,它涉及太阳能电池的技术领域,它的低压变温扩散方法为:清洁硅片-抽真空-升温-通源-降温-出片;其中扩散气体压强保持在0.001~0.8大气压,扩散温度范围为600-950度,使用硅片为p型硅片、n型硅片。它采用低压扩散,结合变温扩散,解决纳米绒面硅片扩散不均匀的问题,在低压条件下,扩散源分子运动加快,表现为在扩散腔内的杂质源分布均匀,在硅片表面的局部浓度差异小,有利于创造一个均匀扩散的环境。同时在纳米绒面结构的内部,气体源的扩散长度大,响应时间短,在一定时间内表现为具有相似的扩散源气氛。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 多晶 太阳能电池 低压 扩散 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米绒面多晶硅太阳能电池低压变温扩散方法,其特征在于它的低压变温扩散方法为:清洁硅片‑抽真空‑升温‑通源‑降温‑出片;其中扩散气体压强保持在0.001~0.8大气压,扩散温度范围为600‑950度,使用硅片为p型硅片、n型硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的