[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构的制造方法包含下列步骤：提供晶圆结构，晶圆结构具有晶圆及覆盖晶圆的保护层。于晶圆相对保护层的表面上形成图案化的光阻层。蚀刻晶圆，使晶圆形成多个通道，且保护层由通道露出。蚀刻保护层，使保护层形成对准通道的多个开口，保护层中的多个焊垫分别露出于开口及通道，且每一开口的口径朝对应的通道的方向逐渐增大。蚀刻晶圆环绕通道的多个侧表面，使通道扩大而分别形成多个镂空区，每一镂空区的口径朝对应的开口的方向逐渐减小，且每一开口的口径小于对应的镂空区的口径。如此，不仅可避免导电层在晶圆的表面与晶圆的侧壁的邻接处发生断裂，还可避免导电层在保护层的侧壁与焊垫的邻接处发生断裂。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一晶片，具有一感光元件及一镂空区；一保护层，位于该晶片的表面上，且覆盖该感光元件，其中该保护层具有一开口，对准且连通于该镂空区；该开口的口径小于该镂空区的口径；该开口的口径朝该镂空区的方向逐渐增大，且该镂空区的口径朝该开口的方向逐渐减小，使该保护层环绕该开口的一第一侧壁及该晶片环绕该镂空区的一第二侧壁均为斜面；一焊垫，位于该保护层中，且露出于该开口，该焊垫具有位于该开口中且朝向该开口的一顶面；一绝缘层，位于该第一侧壁上、该第二侧壁上、及邻接该第一侧壁与该第二侧壁间的该保护层的表面上，且该焊垫具有背对该顶面的一底面，且该焊垫的该底面完全由该保护层覆盖；以及一导电层，位于该绝缘层上，且覆盖该焊垫的该顶面，使该导电层电性接触该焊垫，其中该焊垫的该顶面位于该导电层与该保护层之间，且在该开口中的该绝缘层位于该导电层与该保护层之间。