[发明专利]金属接触结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410316858.9 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN105006467B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 林瑀宏;林圣轩;张志维;周友华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包含位于衬底上方的硅化物层、位于由衬底上方的介电层形成的开口中的金属插塞、位于金属插塞和介电层之间及金属插塞和硅化物层之间的第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的非晶层。本发明还公开了金属接触结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 接触 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：位于衬底上方的硅化物层；位于由所述衬底上方的介电层形成的开口中的金属插塞；位于所述金属插塞和所述介电层之间及所述金属插塞和所述硅化物层之间的第一金属层；位于所述第一金属层上方的第二金属层；以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的非晶层，所述非晶层由所述第一金属层与所述第二金属层反应形成并且设置在所述开口的底部和侧壁上。
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