[发明专利]像素结构

摘要

一种像素结构，包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层及第一电极层。第一导电层包括扫描线及下电极。半导体层包括具有第一通道层、第一源极区及第一漏极区的第一半导体图案。绝缘层位于半导体层上。第二导电层位于绝缘层上且包括上电极、第一栅极、第一源极、第一漏极及与第一源极连接的数据线。下电极与上电极重迭以形成电容器。保护层覆盖第一导电层、半导体层及第二导电层，保护层具有第一开口、第二开口及第三开口。第一开口暴露出第一源极及半导体层的第一源极区，第二开口暴露出第一漏极及半导体层的第一漏极区，且第三开口暴露出第一栅极及扫描线。第一电极层位于保护层上且填入第一开口、第二开口及第三开口中。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一第一导电层，包括一扫描线以及一下电极；一半导体层，包括一第一半导体图案，且该第一半导体图案具有一第一通道层、一第一源极区以及一第一漏极区；一第一绝缘层，位于该第一导电层以及该半导体层之间；一第二绝缘层，位于该半导体层上；一第二导电层，位于该第二绝缘层上，该第二导电层包括一上电极、一第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及与该第一源极连接的一数据线，其中该下电极与该上电极重迭以形成一电容器；一保护层，覆盖该第一导电层、该半导体层以及该第二导电层，其中该保护层具有一第一开口、一第二开口以及一第三开口，该第一开口暴露出该第一源极以及该半导体层的该第一源极区，该第二开口暴露出该第一漏极以及该半导体层的该第一漏极区，且该第三开口暴露出该第一栅极以及该扫描线；以及一第一电极层，位于该保护层上，其中该第一电极层更填入该第一开口、该第二开口以及该第三开口中，以使得该第一源极与该第一源极区电性连接，使得该第一漏极与该第一漏极区电性连接，且使得该第一栅极与该扫描线电性连接。