[发明专利]一种立方碳化硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410317559.7 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104087909A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 章嵩;徐青芳;涂溶;张联盟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/48 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种立方碳化硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将单晶硅基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空，并设置基板座温度升至100～900℃；(2)将含HMDS的载流气通入反应器内，HMDS的流量为1～20sccm，调节真空度至10～10kPa；(3)加载连续激光照射硅基板表面，波长750～1150纳米，功率为10～150W，时间为1～10分钟；(4)停止通入含有HMDS的载流气，关闭激光和停止加热，抽真空并自然冷却至室温，即得到立方碳化硅薄膜。本发明制备的立方碳化硅薄膜的面缺陷倾斜于薄膜生长方向生长，相邻缺陷相遇时能够发生“自消亡”现象，从而有效降低了材料中的晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立方 碳化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种立方碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将单晶硅基板放入冷壁式激光化学气相沉积反应器的基板座上，并将真空度调至10Pa以下，并设置反应器内的加热系统，使基板座温度升至100～900℃；(2)将含六甲基二硅烷的载流气通入反应器内，六甲基二硅烷的流量为1～20sccm，调节反应器内的真空度至10～10kPa；(3)加载连续激光照射硅基板表面，波长750～1150纳米，调节激光功率为10～150W，其加载激光时间为1～10分钟；(4)停止通入含有六甲基二硅烷的载流气，关闭激光和反应器内的加热系统，将反应器内的真空度调至10Pa以下，并冷却至室温，即得到沉积在单晶硅基板上的立方碳化硅薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
