[发明专利]发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410318584.7 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104282811A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 奚衍罡 | 申请（专利权）人： | 奚衍罡 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括基底、半导体主体、过渡层及p接触层。该半导体主体可用来产生光且包括设置于所述基底上的n型层、设置于所述n型层上的p型层及设置于所述n型层和p型层之间的发光层。该过渡层设置于所述基底上且位于所述n型层和所述基底间，该过渡层包括复数个子层，所述复数个子层中的每层均包含有与其他子层不同的化合物且每一个子层的化合物均包括有IIIA族金属、过渡金属和氮元素。该p接触层设置于所述半导体主体的p型层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置，包括：基底；半导体主体，其可用来产生光且包括设置于所述基底上的n型层、设置于所述n型层上的p型层及设置于所述n型层和p型层之间的发光层；过渡层，其设置于所述基底上且位于所述n型层和所述基底间，该过渡层包括复数个子层，所述复数个子层中的每层均包含有与其他子层不同的化合物且每一个子层的化合物均包括有IIIA族金属、过渡金属和氮元素；及p接触层，其设置于所述半导体主体的p型层上。
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