[发明专利]生长在W衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 201410318610.6 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104143596A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强;刘作莲;王文樑;杨为家;林云昊;周仕忠;钱慧荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在W衬底上的AlN薄膜，包括由下至上依次排列的W衬底和AlN薄膜，所述AlN薄膜为在400～500℃下生长的AlN薄膜。所述W衬底以(110)面为外延面。本发明还公开了上述W衬底上的AlN薄膜及应用。本发明的制备的AlN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点，制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 aln 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
生长在W衬底上的AlN薄膜，其特征在于，包括由下至上依次排列的W衬底和AlN薄膜，所述AlN薄膜为在400～500℃下生长的AlN薄膜。
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