[发明专利]一种晶硅片式电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶硅片式电容器的制备方法，包括如下步骤：在晶硅片的上、下表面涂布含有金属粉体的树脂浆料；将80～120块涂布有所述树脂浆料的晶硅片叠加，于80～90℃下烘干，得到电容器前驱体；将所述电容器前驱体的侧面通过热喷涂的方法印刷上金属电极，得到晶硅片式电容器。本发明的优点在于，硅晶的半导体性能优异，电容器制备时基材加热温度较低，施工时间短、环保无污染。

主权项

1.一种晶硅片式电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在晶硅片的上、下表面涂布含有金属粉体的树脂浆料；将80～120块涂布有所述树脂浆料的晶硅片叠加，于80～90℃下烘干，得到电容器前驱体；将所述电容器前驱体的侧面通过热喷涂的方法印刷上金属电极，得到晶硅片式电容器；所述晶硅片的厚度为0.5mm；所述金属粉体的粒径为1～10μm；所述树脂浆料包含按重量百分数计的如下组分：金属粉体：70～90％；热固型树脂：5～15％；有机溶剂：5～15％；分散剂：0～1.5％；所述金属电极的厚度为0.1mm；所述热固型树脂包括醇酸树脂、溶剂型环氧酯树脂和有机硅树脂中的至少一种；所述分散剂为聚乙烯醇；所述热喷涂法包括如下步骤：将所述电容器前驱体的侧面进行粗糙化至粗糙度为2.0～10umRa；对粗糙化的电容器前驱体进行烘干；以0.3～0.4MPa的喷涂压力，在60～120℃下热喷涂上一层金属电极；所述金属粉体包括银粉、铜粉和镍粉中的任意一种。