[发明专利]半导体光电元件及其制作方法有效
申请号: | 201410319735.0 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN104091862B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 王心盈;陈怡名;徐子杰;陈吉兴;张湘苓 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体光电元件及其制作方法。该半导体光电元件包括操作基板;半导体外延叠层单元,设置于操作基板上;半导体外延叠层单元包括设置于操作基板上,具有第一导电特性的第一半导体材料层,以及设置于第一半导体材料层上,具有第二导电特性的第二半导体材料层;透明导电层,设置于第二半导体材料层上,透明导电层包括第一表面、直接接触部,设置于第一表面上,与第二半导体材料层直接接触、第二表面,实质平行第一表面、直接接触对应部,设置于第二表面相对于直接接触部上;以及第一电极,设置于操作基板上,通过透明导电层与半导体外延叠层电性连结;其中,第一电极与透明导电层通过直接接触部与直接接触对应部之外的区域相互电性连结。 | ||
搜索关键词: | 半导体 光电 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体光电元件的制作方法,包括:提供一第一基板;形成一牺牲层于该第一基板上;形成一半导体外延叠层于该牺牲层上;分隔该半导体外延叠层和该牺牲层为多个半导体外延叠层单元和多个牺牲层,且该多个半导体外延叠层单元与该多个牺牲层一一对应;形成一图案化层,覆盖于该多个半导体外延叠层单元上,对于无需转移的该半导体外延叠层单元,以完全覆盖的方式包覆其下裸露的牺牲层的侧壁,对于需要转移的该半导体外延叠层单元,以部分覆盖的方式包覆其表面并裸露出其下的牺牲层的侧壁;移除该需要转移的半导体外延叠层单元下方的该牺牲层;以及转移该需要转移的半导体外延叠层单元至一第二基板上。
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