[发明专利]LED芯片及提高LED芯片出光效率的方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片及提高LED芯片出光效率的方法，该方法包括s1、在透明衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层；s2、通过透明衬底一侧，通过激光聚焦的方法在透明衬底内部、和/或第一半导体层上形成光反射结构，该光反射结构为多个空腔、不同相界面、非平面结构或粗糙界面。本发明在已经制作好的LED芯片上，通过激光手段在半导体层或衬底的内部形成光反射结构，减少了光路的距离，提高了LED的出光效率。同时针对GaN基LED，在激光熔融或烧灼完成后，还可以在GaN层内的某些局部形成Ga金属颗粒，通过金属颗粒的作用，可以进一步提高光反射效果。

主权项

一种LED芯片，其特征在于，包括透明衬底以及形成于所述透明衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述透明衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明衬底的下表面与发光层之间形成有光反射结构，所述光反射结构包括形成于所述第一半导体层内部的多个光点，所述光点为一空腔，所述第一半导体层为GaN层，位于所述第一半导体层内部的空腔内还形成有Ga金属颗粒。