[发明专利]一种基于历史信息的半导体纳米器件快速仿真方法

摘要

本发明涉及一种基于历史信息的半导体纳米器件快速仿真方法，进行迭代运算时包括：记录保存输入输出信息组成输入矢量空间和输出矢量空间其中：Vⁱⁿ表示输入电压，V^out表示输出电压，i是当前迭代次数，M是自然数；利用线性方程x＝A^-1b求取加权系数其中：A为M×M维的矩阵，A_nm＝(d_i-d_i-n,d_i-d_i-m)，b和x都是M×1维矢量，m、n都是1至M的自然数，余量计算第i+1次迭代输入这种仿真方法大大减少了迭代次数，加快了收敛速度。

主权项

一种基于历史信息的半导体纳米器件快速仿真方法，其特征在于，该仿真方法在对求解电势方程和载流子输运方程进行迭代运算时包括以下步骤：利用历史迭代信息：记录保存最近的M次迭代的输入输出历史信息和以及本次输入输出信息和组成输入矢量空间和输出矢量空间其中：Vⁱⁿ表示输入电压，V^out表示输出电压，i是当前迭代次数，M是自然数；利用线性方程x＝A^‑1b求取加权系数其中：A为M×M维的矩阵，A_nm＝(d_i‑d_i‑n,d_i‑d_i‑m)；b和x都是M×1维矢量，m，n都是1至M的自然数；余量计算第i+1次迭代输入$V_{i+1}^{\mathrm{in}}=\stackrel{\‾}{V_i^{\mathrm{out}}}=V_i^{\mathrm{out}}+\underset{m=1}{\overset{M}{\mathrm{\Σ}}}{\mathrm{\θ}}_i^m(V_{i-m}^{\mathrm{out}}-V_i^{\mathrm{out}}).$