[发明专利]预压力残存率的侦测方法有效
| 申请号： | 201410321819.8 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105319235B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟勳;谢文馨;杨安石;袁伟翔;黄泓纬;刘崇庆;黄逸羣 | 申请（专利权）人： | 上银科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20;G01L5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种预压力残存率的侦测方法，包含有下列步骤a.在可相对移动的二组件其中之一安装一温度传感器；b.使该二组件相对移动，同时记录该温度传感器所感测到的温度随时间的变化，进而得到一初始温升曲线；c.使该二组件相对移动，同时记录该温度传感器所感测到的温度随时间的变化，进而得到一侦测温升曲线；d.比较该初始温升曲线与该侦测温升曲线的差异，进而得到该二组件在该步骤c进行时相对于该步骤b进行时的预压力残存率；该侦测方法可在受测物运转时侦测其所受预压力的残存率，且成本低、使用寿命长、反应速度快、侦测结果较为准确。 | ||
| 搜索关键词： | 预压 残存 侦测 方法 | ||
【主权项】：
一种预压力残存率的侦测方法，包含有下列步骤：a.在可相对移动的二组件其中之一安装一温度传感器；b.使该二组件相对移动，同时记录该温度传感器所感测到的温度随时间的变化，进而得到一初始温升曲线；c.使该二组件相对移动，同时记录该温度传感器所感测到的温度随时间的变化，进而得到一侦测温升曲线；以及d.比较该初始温升曲线与该侦测温升曲线的差异，进而得到该二组件在该步骤c进行时相对于该步骤b进行时的预压力残存率，其中，该步骤b中利用该初始温升曲线取得一初始温升率，该步骤c中利用该侦测温升曲线取得一侦测温升率，该步骤d中的预压力残存率为该侦测温升率与该初始温升率的比值。
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