[发明专利]在后栅工艺中形成不同厚度的栅氧化层的方法有效
| 申请号： | 201410322652.7 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448687B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 库尔班·阿吾提 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在后栅工艺中形成不同厚度的栅氧化层的方法，包括：提供半导体衬底，包括核心器件区域和IO器件区域，所述核心器件区域和IO器件区域的半导体衬底上覆盖有氧化层；形成覆盖所述半导体衬底和氧化层的介质层，该介质层在所述核心器件区域和IO器件区域分别具有栅极开口；依次形成高K材料层和帽层，该高K材料层覆盖所述介质层的表面、该栅极开口的底部和侧壁，该帽层覆盖所述高K材料层；在所述核心器件区域中注入氧净化剂；对所述半导体衬底进行退火，以使所述氧净化剂移除所述核心器件区域的至少部分氧元素。本发明无需移除核心器件区域的栅氧化层，能够避免介质层损失、IO器件栅氧化层的损失、非均匀性等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 在后 工艺 形成 不同 厚度 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在后栅工艺中形成不同厚度的栅氧化层的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括核心器件区域和IO器件区域，所述核心器件区域和IO器件区域的半导体衬底上覆盖有氧化层；形成覆盖所述半导体衬底和氧化层的介质层，该介质层在所述核心器件区域和IO器件区域分别具有栅极开口，该栅极开口的底部暴露出所述氧化层；依次形成高K材料层和帽层，该高K材料层覆盖所述介质层的表面、该栅极开口的底部和侧壁，该帽层覆盖所述高K材料层；在所述核心器件区域中注入氧净化剂；对所述半导体衬底进行退火，以使所述氧净化剂移除所述核心器件区域的至少部分氧元素；对所述半导体衬底进行退火之前在所述高K材料层中注入Zr离子，以加强所述氧净化剂的氧元素移除效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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