[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410322716.3 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105336615B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘英明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源区和漏区；利用金属卤化物和硅烷发生反应，在所述源区/漏区表面形成金属硅化物；在形成所述金属硅化物之后，进行退火工艺。所述形成方法形成的鳍式场效应晶体管性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 鳍式场效应晶体管 伪栅结构 衬底 漏区 源区 表面形成金属 金属硅化物 金属卤化物 退火工艺 硅化物 侧壁 硅烷 横跨 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源区和漏区；利用金属卤化物和硅烷发生反应，在所述源区/漏区表面形成金属硅化物；在形成所述金属硅化物之后，进行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
