[发明专利]一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410322760.4 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104087904A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;许丹;于士辉;董和磊;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法：首先采用Bi2O3,MgO,Nb2O5和TiO2，以传统的固相反应法，制备Bi1.5Mg0.5Nb0.5Ti1.5O7简称BMNT陶瓷靶材；再通过磁控溅射方法制备厚度为100～300nm的BMNT薄膜；再于气氛炉中700℃后退火处理，最后在BMNT薄膜上面制备金属电极。本发明通过将钛离子掺入铋基材料中，优化了铋基薄膜的调谐性，在1MV/cm的驱动电压下，其调谐率达到35％，优于相同条件下BMN薄膜的调谐率(25％)，介电调谐率得到了明显的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调谐 bmnt 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法，具有如下步骤：(1)制备靶材采用Bi2O3,MgO,Nb2O5和TiO2，以传统的固相反应法，制备Bi1.5Mg0.5Nb0.5Ti1.5O7简称BMNT陶瓷靶材；(2)清洗基片将表面附有电极的基片放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中干燥；(3)制备薄膜(a)将磁控溅射系统的本底真空抽至6.0×10‑6Torr，然后加热衬底至450℃；(b)以高纯Ar和O2作为溅射气体，Ar和O2的流量比为4:1；溅射气压为10mTorr，溅射功率为150W，进行BMNT薄膜的沉积；薄膜的厚度为100～300nm，通过调节工艺参数或者沉积时间控制薄膜厚度。(c)将步骤(b)得到的BMNT薄膜置于气氛炉中进行后退火处理，通入O2，退火气压为0.02Mpa，退火温度为700℃，退火时间为10min；(d)在步骤(c)退火后的BMNT薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，并利用磁控溅射的方法镀上直径为0.2mm的Au电极。
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