[发明专利]PMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410323237.3 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105244278B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有栅极结构；采用干法刻蚀对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行刻蚀，以形成凹槽；采用湿法刻蚀对所述凹槽侧壁的半导体衬底进行腐蚀；在所述凹槽中填充压应力材料；其中，在所述干法刻蚀之后且湿法刻蚀之前，和/或在所述湿法刻蚀之后且填充所述压应力材料之前，还包括：对所述凹槽底部和侧壁的半导体衬底进行氧化以形成氧化层；去除所述氧化层。本发明能够移除或减少刻蚀形成凹槽的过程对硅表面造成的损伤，可以为后续的外延工艺提供更好的表面条件。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 湿法刻蚀 压应力材料 干法刻蚀 栅极结构 氧化层 刻蚀 填充 凹槽侧壁 表面条件 外延工艺 硅表面 侧壁 去除 移除 损伤 腐蚀 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有栅极结构；采用干法刻蚀对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行刻蚀，以形成凹槽；采用湿法刻蚀对所述凹槽侧壁的半导体衬底进行腐蚀；在所述凹槽中填充压应力材料；其特征在于，在所述干法刻蚀之后且湿法刻蚀之前，和在所述湿法刻蚀之后且填充所述压应力材料之前，还包括：对所述凹槽底部和侧壁的半导体衬底进行氧化以形成氧化层；去除所述氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410323237.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
