[发明专利]一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法：首先清洗基片，再采用磁控溅射方法，以金属Ni为靶材，沉积得到NiO薄膜，再于500‑700℃进行后退火处理；最后以ITO为靶材，制备ITO薄膜顶电极，制得高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器。本发明在现有技术的基础上首次采用NiO薄膜制备压控透明电容器，该压控透明电容器调谐率高，驱动电压低，可见光透过性优良，具有良好的应用前景。

主权项

一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，具有如下步骤：(1)清洗基片将表面附有电极的透明导电玻璃基片放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中进行干燥；(2)制备NiO薄膜(a)将步骤(1)干燥后的导电玻璃基片放入磁控溅射样品台上，将金属Ni靶材装置在相应的射频溅射靶上，再将磁控溅射系统的本底真空抽至6.0×10‑6Torr，然后加热导电玻璃基片至600℃；(b)以高纯Ar和O2作为溅射气体，溅射气压为10mTorr，溅射功率为150W，进行溅射沉积得到NiO薄膜；(c)将步骤(b)得到的NiO薄膜置于气氛炉中进行后退火处理，通入纯度为99％的O2，退火气压为0.02Mpa；(3)制备顶电极(a)将步骤(2)(c)退火后的NiO薄膜放入磁控溅射样品台上，将ITO靶材装置在相应的射频溅射靶上，然后将磁控溅射的本底真空抽至6.0×10‑6Torr，加热衬底至600℃；(b)以高纯Ar和O2作为溅射气体，溅射气压为10mTorr，溅射功率为200W，溅射沉积ITO薄膜顶电极；制得高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器。