[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域和所述第二区域均包括虚拟栅极；去除所述虚拟栅极以形成第一沟槽和第二沟槽；在所述半导体衬底上依次沉积形成高K介电层、覆盖层、阻挡层、P型功函数金属层和牺牲层；去除第二区域中的牺牲层；在所述半导体衬底上形成间隙壁保护层；去除第二区域中的间隙壁保护层；去除第二区域中位于第二沟槽中的牺牲层；去除第二区域中的P型功函数金属层；去除第一区域中的牺牲层和间隙壁保护层；在半导体衬底上依次沉积形成N型功函数金属层和金属电极层。根据本发明的制作方法，避免了NMOS器件的等离子体损伤，进一步，提高了半导体器件的性能和良品率。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域和所述第二区域均包括虚拟栅极；在所述半导体衬底上形成层间介电层；执行平坦化工艺以露出所述虚拟栅极；去除所述第一区域中的所述虚拟栅极和所述第二区域中的所述虚拟栅极，以在所述第一区域中形成第一沟槽，在所述第二区域中形成第二沟槽；在所述半导体衬底上依次沉积形成高K介电层、覆盖层、阻挡层、P型功函数金属层和牺牲层；去除所述第二区域中位于所述层间介电层上的所述牺牲层，以露出所述P型功函数金属层；在所述半导体衬底上形成间隙壁保护层；去除所述第二区域中的所述间隙壁保护层，以露出所述牺牲层和所述P型功函数金属层；去除所述第二区域中位于所述第二沟槽中的所述牺牲层；去除所述第二区域中的所述P型功函数金属层；去除所述第一区域中的所述牺牲层和所述间隙壁保护层，以露出所述P型功函数金属层；在所述半导体衬底上依次沉积形成N型功函数金属层和金属电极层；执行平坦化工艺，以露出所述层间介电层。