[发明专利]形成高K金属栅极器件的后栅极工艺有效
| 申请号： | 201410325699.9 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105336592B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种形成高K金属栅极器件的后栅极工艺，包括a.形成栅极氧化物；b.去除核心部分上的栅极氧化物；c.在输入输出部分和核心部分上分别形成氮氧化硅层；d.选择性地蚀刻部分栅极氧化物和部分氮氧化硅层，并在剩余的栅极氧化物和氮氧化硅层上形成多晶硅虚拟栅极；e.在多晶硅虚拟栅极两侧形成侧墙；f.对多晶硅虚拟栅极两侧的衬底进行源极和漏极离子注入，以形成源极和漏极；g.在半导体衬底上形成层间介电层，该层间介电层暴露出侧墙和多晶硅虚拟栅极的顶部；h.去除多晶硅虚拟栅极；i.去除氮氧化硅层；j.在去除氮氧化硅层后的结构的开口中生长栅极氧化物层；k.在所述开口中的栅极氧化物层处形成高k金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 栅极 器件 工艺 | ||
【主权项】：
一种形成高K金属栅极器件的后栅极工艺，其特征在于，包括：a.在半导体衬底的输入输出部分和核心部分上分别形成栅极氧化物；b.去除核心部分上的栅极氧化物；c.在输入输出部分和核心部分上分别形成氮氧化硅层；d.选择性地蚀刻半导体衬底上的部分栅极氧化物和部分氮氧化硅层，并在剩余的栅极氧化物和氮氧化硅层上形成多晶硅虚拟栅极；e.在多晶硅虚拟栅极两侧形成侧墙；f.对多晶硅虚拟栅极两侧的衬底进行源极和漏极离子注入，以形成源极和漏极；g.在半导体衬底上形成层间介电层，该层间介电层暴露出侧墙和多晶硅虚拟栅极的顶部；h.去除多晶硅虚拟栅极；i.去除氮氧化硅层；j.在去除氮氧化硅层后的结构的开口中生长栅极氧化物层；以及k.在所述开口中的栅极氧化物层处形成高k金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
