[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410325768.6 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105244254B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳层，且所述无定形碳表面具有结晶源；对所述无定形碳层表面进行氧化处理，氧化去除所述结晶源。本发明氧化去除位于无定形碳层表面的结晶源，防止所述结晶源在与外界环境接触后体积增加，从而避免无定形碳层表面的结晶现象，进而提高无定形碳层表面平坦度，提高形成的无定形碳层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳层，且所述无定形碳顶部表面具有结晶源；采用双氧水溶液对所述无定形碳层顶部表面进行氧化处理，氧化去除所述结晶源；形成所述无定形碳层的方法为：向反应腔室内通入气体状态的碳氢化合物，所述碳氢化合物在加热条件下热分解形成无定形碳层；其中，所述碳氢化合物溶解在有机溶剂中，向溶解有碳氢化合物的有机溶剂施加压强作用，向反应腔室内通入气体状态的碳氢化合物，且有机溶剂以气体状态进入反应腔室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
