[发明专利]硼磷硅玻璃介电层的制备方法、半导体器件及电子装置在审
| 申请号： | 201410325956.9 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105448706A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李立春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硼磷硅玻璃介电层的制备方法、半导体器件以及电子装置。所述方法包括预沉积步骤和主沉积步骤，其中，所述预沉积步骤中磷源的流量小于所述主沉积步骤中磷源的流量，以降低制备得到的硼磷硅玻璃介电层中磷的含量。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的硼磷硅玻璃介电层沉积方法，所述方法包括预沉积和主沉积两个步骤，其中在所述预沉积步骤中通过降低所述TEB和TEPO气体的流量，以及同时控制该预沉积步骤的沉积时间，来避免在所述预沉积步骤中磷的浓度过大的问题，同时还可以使硼和磷的浓度更加均一，从而消除所述硼磷硅玻璃介电层在后续形成接触孔的步骤中孔洞的出现以及桥连现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 硼磷硅 玻璃 介电层 制备 方法 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种硼磷硅玻璃介电层的制备方法，所述方法包括预沉积步骤和主沉积步骤，其中，所述预沉积步骤中磷源的流量小于所述主沉积步骤中磷源的流量，以降低制备得到的硼磷硅玻璃介电层中磷的含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
