[发明专利]具有源极向下和感测配置的半导体裸片和封装体有效
| 申请号： | 201410327670.4 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104282652B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;G·诺鲍尔;M·珀尔齐尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体裸片，包括半导体主体；晶体管器件，布置在所述半导体主体中并且具有栅极、源极和漏极；感测器件，布置在所述半导体主体中并且可操作用于感测与所述晶体管器件相关联的参数。该裸片进一步包括源极焊盘，在所述半导体主体的第一侧处并且电连接到所述晶体管器件的源极；漏极焊盘，在与所述第一侧相对的所述半导体主体的第二侧处并且电连接到所述晶体管器件的漏极；以及感测焊盘，在所述半导体主体的第二侧处并且与所述漏极焊盘间隔开。所述感测焊盘电连接到所述感测器件。还公开了对应的封装体和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 向下 配置 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体裸片，包括：半导体主体；晶体管器件，布置在所述半导体主体中并且具有栅极、源极和漏极；感测器件，布置在所述半导体主体中并且可操作用于感测与所述晶体管器件相关联的参数；源极焊盘，在所述半导体主体的第一侧处并且电连接到所述晶体管器件的所述源极；漏极焊盘，在所述半导体主体的与所述第一侧相对的第二侧处并且电连接到所述晶体管器件的所述漏极；感测焊盘，在所述半导体主体的第二侧处并且与所述漏极焊盘间隔开，所述感测焊盘电连接到所述感测器件；以及栅极焊盘，在所述半导体主体的所述第一侧或所述第二侧之一处，并且所述栅极焊盘电连接到所述晶体管器件的所述栅极，如果所述栅极焊盘被布置所述第二侧处则所述栅极焊盘与所述感测焊盘和所述漏极焊盘间隔开，如果所述栅极焊盘被布置在所述第一侧处则所述栅极焊盘与所述源极焊盘间隔开。
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