[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括N型半导体区域、背电极、第一和第二P型基区、第一和第二N⁺扩散层、栅极绝缘膜、栅电极和电压检测电路。第一N⁺扩散层用作输出MOS晶体管的源极并且用作感测MOS晶体管的源极。栅电极被提供为通过栅极绝缘膜40与N型半导体区域和第一及第二P型基区相对。负载电流在背电极和第一N⁺扩散层之间流动。电压检测电路生成检测信号。

主权项

1.一种半导体器件，用于将负载电流供应给负载，所述半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区域；共用漏电极，所述共用漏电极与所述第一半导体区域电连接；第二半导体区域，所述第二半导体区域与所述第一半导体区域接合，并且为不同于所述第一导电类型的第二导电类型；第一扩散层，所述第一扩散层被形成在所述第二半导体区域中，被重掺杂有所述第一导电类型的杂质，并且用作第一晶体管的源极；所述第二导电类型的第三半导体区域，所述第三半导体区域与所述第一半导体区域接合；第二扩散层，所述第二扩散层被形成在所述第三半导体区域中，被重掺杂有所述第一导电类型的杂质，并且用作第二晶体管的源极；栅极绝缘膜；栅电极，所述栅电极被布置成经由所述栅极绝缘膜，与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域相对；以及电压检测电路，其中，所述负载电流在所述共用漏电极和所述第一扩散层之间流动，并且其中，所述电压检测电路响应于在所述第二扩散层和电压取出电极之间的电压，来生成检测信号，所述电压取出电极被形成为具有与所述共用漏电极的电压相同的电压或与所述共用漏电极的电压对应的电压。