[发明专利]光刻胶的涂胶工艺在审

专利信息
申请号: 201410328218.X 申请日: 2014-07-11
公开(公告)号: CN104076609A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 顾金辉;万建安 申请(专利权)人: 上海先进半导体制造股份有限公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐洁晶
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种光刻胶的涂胶工艺,光刻胶涂布于一晶圆的表面上,晶圆置于一离心机的一真空台盘上,晶圆的上方具有一喷嘴组件,喷嘴组件包括一溶剂喷嘴和一光刻胶喷嘴,涂胶工艺包括步骤:A.溶剂喷嘴移动至晶圆的中心位置上方,吐出光刻胶的溶剂至晶圆上,用于增加后续光刻胶与晶圆之间的粘附性;B.真空台盘带动晶圆作第一次高速旋转,使溶剂喷嘴吐出的溶剂均匀覆盖在晶圆的整个表面上,并且光刻胶喷嘴移动至晶圆的中心位置上方;C.光刻胶喷嘴吐出光刻胶至晶圆上;D.真空台盘带动晶圆作第二次高速旋转,使光刻胶喷嘴吐出的光刻胶均匀覆盖在晶圆的整个表面上。本发明能够降低光刻胶的使用量,改善光刻胶在晶圆上涂布的均匀性。
搜索关键词: 光刻 涂胶 工艺
【主权项】:
一种光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于一晶圆(101)的表面上,所述晶圆(101)置于一离心机的一真空台盘(102)上,所述晶圆(101)的上方具有一喷嘴组件(103),所述喷嘴组件(103)包括一溶剂喷嘴(104)和一光刻胶喷嘴(105),所述涂胶工艺包括步骤:A.所述溶剂喷嘴(104)移动至所述晶圆(101)的中心位置上方,吐出所述光刻胶的溶剂至所述晶圆(101)上,用于增加后续所述光刻胶与所述晶圆(101)之间的粘附性;B.所述真空台盘(102)带动所述晶圆(101)作第一次高速旋转,使所述溶剂喷嘴(104)吐出的所述溶剂均匀覆盖在所述晶圆(101)的整个表面上,并且所述光刻胶喷嘴(105)移动至所述晶圆(101)的中心位置上方;C.所述光刻胶喷嘴(105)吐出所述光刻胶至所述晶圆(101)上;D.所述真空台盘(102)带动所述晶圆(101)作第二次高速旋转,使所述光刻胶喷嘴(105)吐出的所述光刻胶均匀覆盖在所述晶圆(101)的整个表面上。
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