[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201410329040.0 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104064473A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 小山润;坂田淳一郎;丸山哲纪;井本裕己;浅野裕治;肥塚纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体装置的方法，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：形成氧化物半导体膜；蚀刻所述氧化物半导体膜以形成第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜；在所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜之上形成包括氧化硅的第一绝缘膜；蚀刻所述第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成包括氮化硅的第二绝缘膜；在形成所述第二绝缘膜的步骤之后执行热处理，其中，所述第一绝缘膜包括重叠于所述第二氧化物半导体膜的区域，其中，所述第一氧化物半导体膜包括不重叠于所述第一绝缘膜的区域，且其中，所述第二绝缘膜与所述第一氧化物半导体膜相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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