[发明专利]接触通孔蚀刻方法有效
| 申请号： | 201410329093.2 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105244312B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;许继辉;苏良得;倪梁;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种接触通孔蚀刻方法，适用于至少由第一材料层和第二材料层堆叠形成的复合层结构，其中该第一材料层和第二材料层的材料不同，该接触通孔蚀刻方法包括：a.使用博世蚀刻工艺蚀刻第一材料层，以在该第一材料层内形成接触通孔，其中该博世蚀刻工艺进一步包括：a1.在接触通孔的侧壁和底部形成聚合物；a2.去除该接触通孔的底部处的聚合物；a3.在接触通孔中蚀刻预定深度；a4.重复执行上述步骤a1‑a3，直至该接触通孔在该第一材料层内达到一指定深度；以及b.使用不同于上述博世蚀刻工艺的另一蚀刻工艺来蚀刻已达到该指定深度的接触通孔，使得该接触通孔达到该第一材料层下面的第二材料层。本发明可以使蚀刻得到的接触通孔具有更好的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 接触通孔 蚀刻 第一材料 蚀刻工艺 第二材料层 聚合物 形貌 复合层结构 重复执行 侧壁 堆叠 去除 | ||
【主权项】：
1.一种接触通孔蚀刻方法，其特征在于，适用于至少由第一材料层和第二材料层堆叠形成的复合层结构，其中该第一材料层和第二材料层的材料不同，该接触通孔蚀刻方法包括：a.使用博世蚀刻工艺蚀刻第一材料层，以在该第一材料层内形成接触通孔，其中该博世蚀刻工艺进一步包括：a1.在接触通孔的侧壁和底部形成聚合物；a2.去除该接触通孔的底部处的聚合物；a3.在接触通孔中蚀刻预定深度；a4.重复执行上述步骤a1‑a3，直至该接触通孔在该第一材料层内达到一指定深度；以及b.使用不同于上述博世蚀刻工艺的另一蚀刻工艺来蚀刻以达到该指定深度的接触通孔，使得该接触通孔达到该第一材料层下面的第二材料层；其中所述步骤b中的另一蚀刻工艺进一步包括：b1.利用第一蚀刻剂蚀刻穿过所述第一材料层上形成的自然氧化物层；b2.利用第二蚀刻剂蚀刻穿过所述第一材料层，以达到所述第二材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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