[发明专利]场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201410329243.X | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105322004B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄奕泉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包含基底、隔离层、沟道、栅极、漏极及源极。基底具有主动区域，而主动区域的形状为至少一突出部突出于一方形。隔离层是形成于基底上且围绕主动区域。栅极横跨主动区域且形成于主动区域的中段上方。沟道是形成于栅极正下方的主动区域并延伸到至少一突出部，以将主动区域分隔为第一区间及第二区间。栅极横跨主动区域且形成于沟道的上方。漏极是形成于第一区间而源极是形成于第二区间。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于包含：基底，具有主动区域，该主动区域的形状为至少一突出部突出于一方形；隔离层，形成于该基底上且围绕该主动区域；栅极，横跨该主动区域且形成于该主动区域的中段上方；沟道，形成于该栅极正下方的该主动区域并延伸到该至少一突出部，以将该主动区域分隔为一第一区间及一第二区间；漏极，形成于该第一区间；及源极，形成于该第二区间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410329243.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体装置以及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
