[发明专利]一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法无效
| 申请号： | 201410332170.X | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104099662A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 赵云;王钢;魏同波;段瑞飞;孙连峰;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C23C16/01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法，包括以下步骤：步骤1、提供一表面有石墨烯薄膜的基底，所述石墨烯薄膜层数≥2，且所述石墨烯薄膜是直接生长于基底上或者是经过1次或多次转移到基底上的；步骤2、在所述石墨烯薄膜上直接外延生长材料；步骤3、剥离所述外延材料，所述剥离发生在石墨烯薄膜间或者是石墨烯薄膜与基底之间。本发明利用石墨烯薄膜完美的六元环结构，能够实现在石墨烯薄膜上直接外延生长材料并使外延材料剥离，为解决异质外延及当中剥离的难题提供了方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 剥离 外延 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法，包括以下步骤：步骤1、提供一表面有石墨烯薄膜的基底，所述石墨烯薄膜层数≥2，且所述石墨烯薄膜是直接生长于基底上或者是经过1次或多次转移到基底上的；步骤2、在所述石墨烯薄膜上直接外延生长材料；步骤3、剥离所述外延材料，所述剥离发生在石墨烯薄膜间或者是石墨烯薄膜与基底之间。
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