[发明专利]提供再分布层（RDL）和硅通孔（TSV）的结构和方法有效
| 申请号： | 201410332205.X | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105023909B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 游绍祺;洪嘉明;陈相甫;戴文川;黄信锭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL划界。制备用于接合的晶圆可以包括制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 再分 rdl 硅通孔 tsv 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法，所述方法包括：制备用于与半导体封装接合的晶圆，所述晶圆包括低电阻衬底，所述低电阻衬底含有再分布层和硅通孔以用于使所述半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用，其中，所述再分布层包括穿过所述低电阻衬底并且两侧由设置于所述再分布层的两侧的隔离沟槽划界的导电路径，所述硅通孔由包围所述硅通孔的所述隔离沟槽和所述再分布层划界；以及将所述晶圆接合至所述半导体封装。
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