[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的新方法和半导体器件。半导体器件包括衬底、沟槽电容器、接触焊盘、层间介电(ILD)层和接触元件。沟槽电容器包括掺杂区、第一介电层、底电极、第二介电层和顶电极，其中，接触焊盘位于掺杂区上。ILD层具有接触窗口和设置在其中的接触元件。由于存在位于掺杂区上的接触焊盘，因此增加了顶电极上方的ILD层的厚度，但是仍然满足对蚀刻ILD层的接触窗口的最大深度限制的需求。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底内引入掺杂剂以形成掺杂区；形成从所述掺杂区的上表面延伸至所述掺杂区内的沟槽；在所述沟槽的内表面和所述掺杂区的所述上表面上形成第一介电层；去除所述第一介电层的一部分以形成暴露所述掺杂区的所述上表面的一部分的开口；在所述第一介电层上和所述开口中形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二介电层；在所述第二介电层上形成第二导电层；图案化所述第二导电层和位于所述第二导电层下面的所述第二介电层以限定顶电极并暴露所述第一导电层的一部分；图案化所述第一导电层的所述部分以限定位于所述顶电极下面的底电极和位于所述开口上方的接触焊盘，其中，所述掺杂区、所述第一介电层、所述底电极、所述第二介电层和所述顶电极组成沟槽电容器；形成覆盖所述沟槽电容器和所述接触焊盘的层间介电(ILD)层；以及在所述ILD层中形成分别接触所述接触焊盘、所述底电极和所述顶电极的多个接触元件。