[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备有效
| 申请号： | 201410334150.6 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104241392B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张锋;曹占锋;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，源电极包括第一源电极和第二源电极，漏电极包括第一漏电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极设置于有源层上方；刻蚀阻挡层设置于第一源电极和第一漏电极上方；第二源电极和第二漏电极设置于刻蚀阻挡层上方，第一源电极与第二源电极电连接，第一漏电极与第二漏电极电连接，第一源电极、第一漏电极与刻蚀阻挡层部分重叠；源电极和漏电极通过有源层连接。本发明还公开了一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和显示设备。本发明薄膜晶体管的沟道长度小，从而提高了薄膜晶体管的开启电流，同时本发明还改善了源漏电极与有源层的欧姆接触问题，提高了薄膜晶体管的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：在基板(1)上形成半导体层，并进行图形化，得到有源层(4)；在所述有源层(4)上形成第一电极材料层，并进行图形化，得到第一源电极(5)和第一漏电极(6)；对所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)进行热处理，以在所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)的表面上形成氧化层(10)，并使得所述有源层(4)中含有与所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)相同的金属原子；形成刻蚀阻挡材料层，以覆盖所述氧化层(10)以及所述第一源电极(5)与所述第一漏电极(6)之间的区域，并对所述刻蚀阻挡材料层和所述氧化层(10)进行图形化，以形成与所述氧化层(10)部分重叠的刻蚀阻挡层(7)；在所述刻蚀阻挡层(7)的上方形成第二电极材料层，并进行图形化，得到第二源电极(8)和第二漏电极(9)，其中，所述第一源电极(5)与第二源电极(8)电连接，所述第一漏电极(6)与第二漏电极(9)电连接。
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